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Diodo de Schottky da eficiência elevada da perda de baixa potência para a fonte de alimentação de alta frequência do interruptor
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Dongguan China |
| Marca: | Uchi |
| Certificação: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Número do modelo: | Diodos Schottky |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | negociação |
|---|---|
| Preço: | Negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Pacote/negociação da exportação |
| Tempo de entrega: | negociação |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 2000000 pelo mês |
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Informação detalhada |
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| Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Estrutura comum do cátodo |
|---|---|---|---|
| Material: | silicone | Máximo Dianteiro Atual: | 30A, 30A |
| Tensão dianteira máxima: | 0.9V, 0.9V | Tensão reversa máxima: | 200V |
| Realçar: | Diodo de Schottky da eficiência elevada,Diodo do UL Schottky,Diodo de barreira de Schottky do silicone |
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Descrição de produto
Diodo Schottky de baixa perda de energia e alta eficiência para fonte de alimentação de comutação de alta frequência
MBR10100.pdf
O diodo Schottky recebeu o nome de seu inventor, Dr. Schottky (Schottky), e SBD é a abreviação de Schottky Barrier Diode (Diodo de Barreira Schottky, abreviado como SBD).O SBD não é feito pelo princípio de contato do semicondutor do tipo P e do semicondutor do tipo N para formar a junção PN, mas usando o princípio da junção metal-semicondutor formada pelo contato do metal e do semicondutor.Portanto, o SBD também é chamado de diodo de metal semicondutor (contato) ou diodo de barreira de superfície, que é um tipo de diodo portador quente.
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
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SE(AV) |
10(2×5)A |
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VF(max) |
0,7V (@Tj=125°C) |
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Tj |
175°C |
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VRRM |
100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
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Modelo |
marcação |
Pacote |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
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MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
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Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
Unidade |
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Tensão reversa de pico repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensão máxima de bloqueio DC |
VDC |
100 |
V |
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Corrente direta média |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SE(AV) |
10 5 |
A |
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Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
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Temperatura máxima de junção |
Tj |
175 |
°C |
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Amplitude Térmica de armazenamento |
TSTG |
-40~+150 |
°C |
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