Diodos de comutação altos de Schottky da frequência, diodos de roda sem perdas da baixa potência

Descrição de produto

Diodos Schottky de baixa perda de energia Alta frequência de comutação para diodos de roda livre

MBR20200F.pdf
 

Diodo Schottky O diodo Schottky, também conhecido como diodo de barreira Schottky (SBD para abreviar), é um dispositivo semicondutor de baixa potência e velocidade ultra-alta.A característica mais notável é que o tempo de recuperação reversa é extremamente curto (pode ser tão pequeno quanto alguns nanossegundos) e a queda de tensão direta é de apenas cerca de 0,4 V.É usado principalmente como diodos retificadores de alta frequência, baixa tensão e alta corrente, diodos de roda livre e diodos de proteção.Também é útil como diodos retificadores e diodos detectores de pequenos sinais em circuitos de comunicação de micro-ondas.É mais comum em fontes de alimentação de comunicação, conversores de frequência, etc.

Uma aplicação típica é no circuito de comutação do transistor bipolar BJT, conectando o diodo Shockley ao BJT para pinçar, de modo que o transistor esteja realmente próximo do estado desligado quando estiver no estado ligado, aumentando assim a velocidade de comutação do o transistor.Este método é a técnica usada nos circuitos internos TTL de ICs digitais típicos, como 74LS, 74ALS, 74AS, etc.

A maior característica dos diodos Schottky é que a queda de tensão direta VF é relativamente pequena.No caso da mesma corrente, sua queda de tensão direta é bem menor.Além disso, tem um curto tempo de recuperação.Ele também tem algumas desvantagens: a tensão suportável é relativamente baixa e a corrente de fuga é um pouco maior.Deve ser considerado de forma abrangente ao escolher.

Características
 

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS
 

Formulários
 

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade
 

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
 

SE(AV)	10(2×5)A
VF(max)	0,7V (@Tj=125°C)
Tj	175°C
VRRM	100 V

 

MENSAGEM DO PRODUTO
 

Modelo	marcação	Pacote
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
 

Parâmetro			Símbolo	Valor	Unidade
Tensão reversa de pico repetitivo			VRRM	100	V
Tensão máxima de bloqueio DC			VDC	100	V
Corrente direta média	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo   por diodo	SE(AV)	10 5	A
Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de junção			Tj	175	°C
Amplitude Térmica de armazenamento			TSTG	-40~+150	°C