Resistência atual alta da eficiência elevada dos diodos de Schottky da perda de baixa potência

Descrição de produto

Diodos Schottky de baixa perda de energia Alta eficiência Alta resistência à corrente

MBR30100.pdf
 

O diodo Schottky é um diodo de reparo rápido, que é um componente semicondutor rápido de consumo de energia.Suas características óbvias são que o tempo de recuperação reversa é muito curto (pode ser tão pequeno quanto alguns nanossegundos) e a queda de pressão direta é de apenas cerca de 0,4 V.Os diodos Schottky são usados ​​principalmente como diodos retificadores de alta frequência, baixa tensão e alta corrente, diodos de roda livre e diodos de manutenção.Eles também são efetivamente usados ​​como diodos retificadores e pequenos diodos de detecção de sinal de dados em circuitos de energia, como comunicações de fibra óptica.É comumente usado na retificação da fonte de alimentação de comutação secundária e na retificação da fonte de alimentação de alta tensão da TV em cores.O diodo Schottky usa a junção metal-semicondutor como a barreira Schottky para alcançar o efeito real de retificação, que é diferente da junção PN formada pela junção semicondutor-semicondutor em diodos em geral.As características da barreira Schottky tornam a corrente on-off do diodo Schottky mais baixa e podem aumentar a taxa de conversão.Os diodos Schottky têm uma tensão operacional on-off extremamente baixa.Um diodo geral gerará uma corrente de cerca de 0,7-1,7 amperes quando a corrente passar por ele, mas a corrente do diodo Schottky é de apenas 0,15-0,45 amperes, o que pode melhorar a eficiência do sistema.

Características
 

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS
 

Formulários
 

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade
 

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
 

SE(AV)	10(2×5)A
VF(max)	0,7V (@Tj=125°C)
Tj	175°C
VRRM	100 V

 

MENSAGEM DO PRODUTO
 

Modelo	marcação	Pacote
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
 

Parâmetro			Símbolo	Valor	Unidade
Tensão reversa de pico repetitivo			VRRM	100	V
Tensão máxima de bloqueio DC			VDC	100	V
Corrente direta média	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo   por diodo	SE(AV)	10 5	A
Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de junção			Tj	175	°C
Amplitude Térmica de armazenamento			TSTG	-40~+150	°C