Diodo atual alto de Schottky da resistência para a fonte de alimentação de alta frequência do interruptor

Diodo Schottky de alta resistência atual para fonte de alimentação de alta frequência

MBR20100.pdf

A estrutura do circuito interno de um retificador Schottky típico é baseada em um substrato semicondutor do tipo N, no qual é formada uma camada N-epitaxial com arsênico como dopante.O ânodo usa materiais como molibdênio ou alumínio para fazer a camada de barreira.O dióxido de silício (SiO2) é usado para eliminar o campo elétrico na área da borda e melhorar o valor da tensão suportável do tubo.O substrato do tipo N tem uma resistência no estado muito pequena e sua concentração de dopagem é 100% maior que a da camada H.Uma camada de cátodo N+ é formada sob o substrato para reduzir a resistência de contato do cátodo.Ajustando os parâmetros estruturais, forma-se uma barreira Schottky entre o substrato do tipo N e o metal do ânodo, conforme mostrado na figura.Quando uma polarização direta é aplicada a ambas as extremidades da barreira Schottky (o metal do ânodo é conectado ao pólo positivo da fonte de alimentação e o substrato tipo N é conectado ao pólo negativo da fonte de alimentação), a camada de barreira Schottky torna-se mais estreito e sua resistência interna torna-se menor;caso contrário, se Quando uma polarização reversa for aplicada a ambas as extremidades da barreira Schottky, a camada da barreira Schottky se torna mais larga e sua resistência interna se torna maior.

Características
 

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS
 

Formulários
 

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade
 

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
 

SE(AV)	10(2×5)A
VF(max)	0,7V (@Tj=125°C)
Tj	175°C
VRRM	100 V

 

MENSAGEM DO PRODUTO
 

Modelo	marcação	Pacote
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
 

Parâmetro			Símbolo	Valor	Unidade
Tensão reversa de pico repetitivo			VRRM	100	V
Tensão máxima de bloqueio DC			VDC	100	V
Corrente direta média	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo   por diodo	SE(AV)	10 5	A
Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de junção			Tj	175	°C
Amplitude Térmica de armazenamento			TSTG	-40~+150	°C