RoHS aprovou o protetor Ring For Overvoltage Protection do diodo de Schottky

Descrição de produto

Anel de guarda para proteção contra sobretensão Diodo Schottky com RoHS
 

Vantagem
 

O SBD tem as vantagens de alta frequência de comutação e baixa tensão direta, mas sua tensão de ruptura reversa é relativamente baixa, geralmente não superior a 60V, e a mais alta é de apenas cerca de 100V, o que limita sua faixa de aplicação.Como diodos de roda livre de dispositivos de comutação de energia em circuitos de fonte de alimentação de comutação (SMPS) e correção de fator de potência (PFC), diodos retificadores de alta frequência acima de 100 V para transformador secundário, diodos de alta velocidade de 600 V ~ 1,2 kV em circuitos de amortecimento RCD e Para diodos de 600 V usados ​​no aumento de PFC, apenas diodos epitaxiais de recuperação rápida (FRED) e diodos de recuperação ultrarrápida (UFRD) são usados.O tempo de recuperação reversa Trr do UFRD também é superior a 20ns, o que não pode atender às necessidades de 1MHz ~ 3MHz SMPS em campos como estações espaciais.Mesmo para um SMPS com comutação difícil em 100kHz, devido à grande perda de condução e perda de comutação de UFRD, a temperatura do gabinete é alta e é necessário um grande dissipador de calor, o que aumenta o tamanho e o peso do SMPS, que não atende os requisitos de miniaturização e desbaste.tendência de desenvolvimento.Portanto, o desenvolvimento de SBDs de alta tensão acima de 100V sempre foi um tema de pesquisa e foco de atenção.Nos últimos anos, o SBD fez progressos inovadores, SBDs de alta tensão de 150V e 200V foram listados e o SBD de mais de 1kV feito de novos materiais também foi desenvolvido com sucesso, injetando assim nova vitalidade e vitalidade em sua aplicação.
 

Características
 

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS
 

Formulários
 

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade
 

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
 

SE(AV)	10(2×5)A
VF(max)	0,7V (@Tj=125°C)
Tj	175°C
VRRM	100 V

 

MENSAGEM DO PRODUTO
 

Modelo	marcação	Pacote
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
 

Parâmetro			Símbolo	Valor	Unidade
Tensão reversa de pico repetitivo			VRRM	100	V
Tensão máxima de bloqueio DC			VDC	100	V
Corrente direta média	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo   por diodo	SE(AV)	10 5	A
Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de junção			Tj	175	°C
Amplitude Térmica de armazenamento			TSTG	-40~+150	°C