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SOT-89 D882 NPN Transistores Eletrônicos Encapsulação de Energia em Plástico
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Dongguan China |
| Marca: | UCHI |
| Certificação: | Completed |
| Número do modelo: | D882 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1000 PCS |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Padrão |
| Tempo de entrega: | 3weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, União Ocidental |
| Habilidade da fonte: | 5000 peças |
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Informação detalhada |
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| Destacar: | Transistores eletrónicos NPN,Transistores electrónicos encapsulados de plástico,Transistores eletrónicos de dissipação de energia |
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Descrição de produto
SOT-89 D882 Transistores de plástico encapsulado
Características
Dissipação de energia
MÁXIMO Classificações (T)a)= 25°C Salvo disposição em contrário (Nota)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Voltagem de base do colector | 40 | V |
| VDiretor Executivo | Voltagem colector-emissor | 30 | V |
| VEBO | Voltagem de base do emissor | 6 | V |
| Eu...C | Corrente do colector -contínua | 3 | A |
| PC | Dispersão do poder do coletor | 0.5 | W |
| TJ | Temperatura de junção | 150 | °C |
| TSgt. | Temperatura de armazenamento | -55 ~ 150 | °C |
Características elétricas ((Ta=25°C, salvo indicação em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Condições de ensaio | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Tensão de ruptura da base do colector | CBO | IC = 100μA, IE=0 | 40 | V | ||
| Tensão de ruptura colector-emitente | V ((BR) CEO | IC = 10mA, IB = 0 | 30 | V | ||
| Voltagem de ruptura da base do emissor | V ((BR) EBO | IE= 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente de corte do colector | ICBO | VCB= 40V, IE=0 | 1 | μA | ||
| Corrente de corte do colector | ICEO | VCE= 30V, IB=0 | 10 | μA | ||
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB = 6V, IC = 0 | 1 | μA | ||
| Corrente de CC ganho | hFE(1) | VCE=2V, IC=1A | 60 | 400 | ||
| hFE(2) | VCE=2V, IC=100mA | 32 | ||||
| Voltagem de saturação do colector-emissor | VCE (sat) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0.5 | V | ||
| Voltagem de saturação do emissor de base | VBE (sat) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1.5 | V | ||
| Frequência de transição | fT | VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz | 50 | MHz |
Classificação de hFE(1)
| Classe | R | O | Y | GR |
| Distância | 60 a 120 | 100 a 200 | 160 a 320 | 200 a 400 |
Tipico Características
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