• SOT-323 SS8050W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício para Corrente Alta do Colector
SOT-323 SS8050W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício para Corrente Alta do Colector

SOT-323 SS8050W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício para Corrente Alta do Colector

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Dongguan China
Marca: UCHI
Certificação: Completed
Número do modelo: SS8050W

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1000 PCS
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Padrão
Tempo de entrega: 3weeks
Termos de pagamento: T/T, União Ocidental
Habilidade da fonte: 5000 peças
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Destacar:

SS8050W

,

Transistores planos epitaxial de silício npn

,

Transistor plano epitaxial de alta corrente colecionadora

Descrição de produto

SOT-323 transistor de alta frequência e baixo ruído (PNP)

 

Características
 
- Corrente do colector.
- Complementar ao SS8550W.
- Dissipação do colector:PC=200mW(TC=25°C)
 
 
Aplicações
 
- Corrente de coleta alta.
 
 
Informações de encomenda
 
Número do tipo: SS8050W
Marcação: Y1
Código do pacote:SOT-323
 

Características elétricas @ Ta=25 °C, salvo especificação em contrário

 

Parâmetro Símbolo Condições de ensaio MIN TYP Max. UNIT
Tensão de ruptura da base do colector CBO IC=100μA,IE=0 40     V
Tensão de ruptura colector-emitente V ((BR) CEO IC=2mA, IB=0 25     V
Voltagem de ruptura da base do emissor V ((BR) EBO IE=-100μA, IC=0 5     V
Corrente de corte do colector ICBO VCB=40V,IE=0     0.1 μA
Corrente de corte do colector ICEO VCE=20V,IB=0     0.1 μA
Corrente de corte do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     0.1 μA
Ganho de corrente contínua

 

hFE

VCE=1V,IC=100mA 120   400  
VCE=1V,IC=800mA 40      
Voltagem de saturação do colector-emissor VCE (sat) IC=800 mA, IB=80 mA     0.5 V
Voltagem de saturação do emissor de base VBE (sat) IC=800 mA, IB=80 mA     1.2 V
Voltagem do emissor de base VBE VCE=1V IC=10mA     1 V
Frequência de transição fT VCE=10V, IC=50mA f=30MHz 100     MHz

 

Classificação da hFE (s) (1)

 

Classe L H J
Distância 120-200 200 a 350 300 a 400

 

 

TÍPICO Características @- Não.= 25 °Ca não ser que Caso contrário especificado

SOT-323 SS8050W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício para Corrente Alta do Colector 0

 

SOT-323 SS8050W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício para Corrente Alta do Colector 1

 

 
 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em SOT-323 SS8050W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício para Corrente Alta do Colector você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.